Intel cùng với SoftBank dự định triển khai thay thế bộ nhớ HBM vào năm 2029.

SoftBank và Intel dự định ra mắt bộ nhớ mới Z‑Angle Memory (ZAM) vào năm 2029

Cách thực hiện: Công ty chịu trách nhiệm SoftBank – thông qua công ty con Saimemory, sẽ phụ trách nghiên cứu và bán hàng. Intel cung cấp công nghệ sản xuất và đóng gói. Các bên tham gia khác: Fujitsu từ Nhật Bản cũng tham gia dự án.

Tại sao cần Z‑Angle Memory
* Vấn đề của HBM hiện tại:
- Rất đắt và tiêu thụ năng lượng cao.
- Khi khối lượng sản xuất tăng, DRAM truyền thống gặp khó khăn về nguồn lực.

* Mục tiêu của Z‑AM là cung cấp một lựa chọn thay thế tiết kiệm hơn, hiệu quả năng lượng hơn, đồng thời giữ được mật độ dữ liệu cao.

Đặc điểm kỹ thuật
| Tham số | Mô tả |
|---------|-------|
| Cấu trúc | Ngang nhiều lớp mạch (tương tự HBM), nhưng với các phương pháp đóng gói và kiến trúc tiên tiến hơn. |
| Mật độ | Công suất riêng của ngăn xếp cao 2‑3 lần so với HBM. |
| Tiêu thụ năng lượng | Giảm khoảng một nửa so với HBM. |
| Chi phí sản xuất | Dự tính giữ mức giá hiện tại hoặc giảm tới 40 %. |

Công nghệ đóng gói
* Intel đề xuất công nghệ NGDB (Next‑Generation Die Bonding), nâng cao hiệu quả năng lượng của bộ nhớ ZAM so với HBM.
* Trong các nguyên mẫu đã triển khai tám lớp DRAM trên chip cơ bản.

Kế hoạch ra mắt
1. Nguyên mẫu trung gian – trình diễn trước cuối tháng 3 năm 2028.
2. Sản xuất hàng loạt – bắt đầu trong vòng 12 tháng sau lần trình bày, tức khoảng giữa năm 2029.

Như vậy, SoftBank và Intel dự định nhanh chóng mở rộng sản xuất Z‑Angle Memory, cung cấp một lựa chọn bộ nhớ dễ tiếp cận hơn và hiệu quả năng lượng cho các hệ thống cao cấp tương lai.