Samsung đã giới thiệu tại Computex 2026 nguyên mẫu bộ nhớ HBM5 Stack

Samsung Electronics — những bước đầu tiên hướng tới HBM5

Gần đây Samsung Electronics đã công bố bắt đầu cung cấp mẫu bộ nhớ HBM4E, nhưng đồng thời cũng đang tích cực phát triển thế hệ tiếp theo – HBM5. Tại hội chợ Computex 2025, công ty chỉ trình bày một mô hình lớn của chip HBM5 để cho thấy cấu trúc tổng quan của nó. Ngay từ hiện tại đã có thể nhận thấy rằng công nghệ này sẽ phức tạp và đòi hỏi cao.

Chi tiết chính trong quá trình phát triển
Tham số | Samsung làm gì | Chi tiết
---|---|---
Chip cơ bản | Sản xuất nội bộ trên quy trình 2‑nm |
Số lớp DRAM | Từ 12 đến 20 lớp (công nghệ lớp 1c) |
Transistor GAA | Dự kiến sử dụng trong chip 2‑nm |
Quy trình công nghệ dưới 1 nm | Công ty tin rằng sẽ nắm vững nó trong tương lai

Giám đốc kỹ thuật của bộ phận Samsung Electronics, Song Jaehyuk, đã xác nhận sự tham gia của công ty vào việc phát triển và triển khai các công nghệ này. Việc có một đơn vị hợp đồng giúp đáp ứng nhu cầu của những khách hàng khắt khe nhất, bao gồm Nvidia.

So sánh với HBM4E
* HBM4E sử dụng chip cơ bản 4‑nm và quy trình công nghệ 1c để sản xuất các chip DRAM, tạo thành lớp bộ nhớ.
* HBM5 sẽ cung cấp:
* Chip mỏng hơn (2 nm) và số lớp linh hoạt hơn (12–20).
* Khối dẫn nhiệt HPB (Heat Path Block) – kênh tản nhiệt hiệu quả.
* Tốc độ trao đổi dữ liệu tăng lên nhờ kiến trúc cải tiến.

Công nghệ HPB đã được thử nghiệm trên HBM4E, và Samsung dự định sử dụng các phương pháp tản nhiệt tiên tiến để nâng cao tính ổn định của bộ nhớ. Sản xuất hàng loạt HBM5 được lên kế hoạch từ năm 2028, và trong khuôn khổ HBM5E, chip DRAM sẽ được sản xuất theo quy trình công nghệ 1d tiên tiến hơn.

Đối thủ cạnh tranh đang làm gì
* SK hynix sử dụng công nghệ tản nhiệt tương tự – iHBM. Điều này có nghĩa là giải pháp của Samsung không độc đáo về mặt tản nhiệt.
* SK hynix cũng triển khai chip 2‑nm trong HBM5 và dự định sản xuất hàng loạt với iHBM.

Kết luận
Samsung Electronics đã bắt đầu phát triển HBM5 trên nền tảng quy trình công nghệ 2‑nm, dự kiến tới 20 lớp DRAM và giải pháp tản nhiệt HPB sáng tạo. Sự ra mắt hàng loạt được lên kế hoạch vào năm 2028, trong khi các đối thủ như SK hynix áp dụng các giải pháp tương tự (iHBM). Tổng thể, Samsung cho thấy sự tự tin trong việc nắm bắt công nghệ dưới 1 nm và sẵn sàng đáp ứng nhu cầu của những khách hàng lớn nhất.