Samsung ngừng sản xuất 2-D NAND và chuyển nhà máy sang chế tạo HBM4.

Samsung chấm dứt sản xuất NAND 2-D và chuyển hướng nhà máy sang HBM4

Năm nay Samsung công bố hoàn toàn ngừng sản xuất bộ nhớ flash NAND 2-D. Các dây chuyền còn lại sẽ được chuyển hướng sang chế tạo bộ nhớ HBM4, hiện đang có nhu cầu khổng lồ do sự tăng trưởng nhanh chóng của AI.

Điều gì đang diễn ra tại nhà máy Hwason
Theo *The Elec Korea*, Samsung dự định đóng cửa sản xuất NAND 2-D tại cơ sở của mình ở Hwason. Thay vì loại bỏ hoàn toàn dây chuyền, công ty sẽ chuyển đổi nó để thực hiện quá trình kim loại hóa DRAM – việc phủ các đường dẫn kết nối các ô nhớ trong chip.

- Công suất dây chuyền 12: từ 80 000 đến 100 000 tấm 12 inch mỗi tháng.

- Những tấm này trước đây chỉ được sử dụng cho NAND 2-D, nhưng công nghệ đã lỗi thời sau khi xuất hiện NAND 3-D.

Bây giờ trên dây chuyền này sẽ sản xuất DRAM thế hệ thứ 6 (10 nm), dùng trong HBM4. Samsung dự tính tổng năng suất hàng tháng của DRAM – bao gồm các dây chuyền 3 và 4 ở Pyeontae – sẽ đạt khoảng 200 000 tấm vào cuối nửa năm thứ hai.

Tại sao NAND 2-D bị bỏ lại
Bộ nhớ NAND 2-D lần đầu tiên xuất hiện vào cuối những năm 1990. Trong vài năm qua, các nhà sản xuất dần từ bỏ nó, chuyển sang sử dụng NAND 3-D tiên tiến hơn. Công nghệ NAND 3-D có nhiều ưu điểm: dung lượng lớn hơn, độ tin cậy tốt hơn và tốc độ cao hơn đáng kể.

Theo kế hoạch của Samsung, việc chấm dứt hoàn toàn sản xuất NAND 2-D dự kiến vào tháng Ba. Sau đó, nhà máy sẽ chuyển sang hoàn toàn sản xuất các giải pháp hiện đại hơn – bao gồm HBM4, được yêu cầu trong các hệ thống tính toán cao cấp và ứng dụng AI.